Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5. 154448 Tercer orden IMD: -116 dBm

Tercer orden IMD: -116 dBm @ 910 MHz

Marcos compatibles: NX9003 y otros mediante adaptadores

SGS-6341-24P4Xv2

polvos combustibles o fibras inflamables fácilmente y volátiles y áreas que están sujetas a climas corrosivos y húmedos

Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5. 154448 Tercer orden IMD: -116 dBmCaractersticas Principales Diodo de Silicio de Recuperacin Estndar Tipo: Potencia Estndar 1N1184A Polaridad Estndar: Ctodo en la Base Alta Capacidad de Sobrecarga No Sensitivo a Descargas Electrostticas (ESD) Temperatura de Operacin: 55 a +150 C Especificaciones Elctricas Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V Voltaje Inverso RMS: 70 V Voltaje de Bloqueo DC: 100 V Corriente Directa Continua: 35 A Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8. 3 ms, media